Все |0-9 |А |Б |В |Г |Д |Е |Ж |З |И |К |Л |М |Н |О |П |Р |С |Т |У |Ф |Х |Ц |Ч |Ш |Щ |Э |Ю |Я

Каталог статей Новости Вот это новости!

Поиск по тегам : Цифровая камера, Pan-STARRS, PS1, PS4, электросамолет, E-Flight


Нано память. Новая технология. PDF Печать E-mail

Рейтинг 1.5/5 (30 голосов)

Активное изображениеУченые из Университета Пенсильвании создали ячейку памяти, которая в будущем, возможно, сможет стать хорошей альтернативой ячейкам во flash-накопителях. Основа ячейки нанонить длиной 10 микрон и диаметром около 30 нанометров. Сплав германия и теллурида сурьмы является основой нанонити.
Эффект хранения информации составляет интересное свойство сплава. Он может достаточно устойчиво находиться в двух состояниях: в кристаллической и аморфной. При подаче мощного и короткого электрического импульса ячейка переходит в аморфную фазу, что может являться логической «1». В аморфном состоянии электропроводность нити выше. Электрический импульс буквально нагревает нить, но только до такого состояния, в котором атомы материала «закрепляются» в аморфном состоянии. Температура достигает точки плавления.
Для того, что бы получить логический «0» достаточно подать такой же электрический импульс по времени, но несколько меньший по амплитуде. Атомы нити возвращаются к кристаллическому построению. В этом состоянии электропроводность становится меньше.
Мощность, потребляемая ячейкой 0,7 мВт, а скорость чтения/записи 50 наносекунд. Находиться в любом из состояний материал может до 10000 лет, что согласитесь, достаточно долго. Да и быстродействие находится на приличном уровне.
Такие показатели могут вполне соперничать или даже заменить современные модели твердотельной памяти. Предел миниатюризации накопителя в данном виде технологии еще не известен. Ученые продолжают исследования в этой области на предмет «глубины» вопроса.
Возможно, такая «фазовая» память еще преподнесет немало сюрпризов на радость потребителям.  



Related items

 
Добавить в избранное | Сделать стартовой

Rambler's Top100 Рейтинг@Mail.ru

(c)